CST MS仿真腔體屏蔽效能
我用MS仿真帶孔腔體的屏蔽效能時(shí)，在有無腔體兩種情況下，監(jiān)測腔體中心點(diǎn)處的電場值，然后將兩種電場值進(jìn)行對(duì)數(shù)運(yùn)算，得到有孔腔體的屏蔽效能，可是我在仿真時(shí)，我發(fā)現(xiàn)，我得到的結(jié)果中，沒有腔體時(shí)的場強(qiáng)值要小于有腔體時(shí)的場強(qiáng)值，這和理論上不符合啊，理論上來說應(yīng)該是沒有腔體（沒有屏蔽體）時(shí)的電場值應(yīng)該很大才對(duì)，是我仿真時(shí)有什么錯(cuò)誤的地方嗎?我在仿真沒有腔體時(shí)就是監(jiān)測了自由空間中的電場值，MS里面沒有任何模型，網(wǎng)格選擇的是100%，這個(gè)是不是有問題?
這個(gè)不一定的，有可能腔體在某個(gè)頻點(diǎn)處強(qiáng)諧振，這樣的話SE是有可能為負(fù)值的
哦，懂得啦！多謝大蝦！我還想請(qǐng)問一下，我在使用MS仿真腔體的時(shí)，我選用的是 TLM（傳輸線矩陣法），TLM是用于處理對(duì)稱的問題，那我在檢測腔體內(nèi)部的電場值時(shí)，為什么可以檢測任意位置的值（該位置不是關(guān)于軸對(duì)稱的）?而且TLM在MS中也可以處理不規(guī)則的腔體結(jié)構(gòu)?
TLM的應(yīng)用中并無結(jié)構(gòu)對(duì)稱性一說 復(fù)雜的腔體照樣OK
您好！我在進(jìn)行這種仿真的時(shí)候探針的場強(qiáng)有波紋，看教程說應(yīng)該用AR濾波器，但是我琢磨了半天也沒弄出來，都是提示No ar-filter results available，能稍微詳細(xì)的講解一些怎么加ar濾波器嗎?謝謝
是計(jì)算屏蔽效能嗎 這里應(yīng)該用AR濾波器沒什么用的，因?yàn)橹饕P(guān)心的是探針處的場強(qiáng)值，AR濾波器可能不起作用吧
你把仿真結(jié)果中Energy截個(gè)圖發(fā)來瞧瞧
energy是看什么的呢?發(fā)一下我的探針測得的場強(qiáng)吧。
你看這個(gè)圖包絡(luò)形狀符合理論，但是波紋很大，看教程應(yīng)該是用ar濾波器，但是“AR filter for port signals“這個(gè)選項(xiàng)是灰色的，具體應(yīng)該怎么設(shè)置呀?能留個(gè)qq之類的聯(lián)系方式嗎?
應(yīng)該用“AR-Filter for Probe Signal”這個(gè)選項(xiàng)。
也是灰色的。是因?yàn)闀r(shí)域TLM求解后不能用ar濾波器嗎?
沒用過TLM，不知道。
你可以試著加長仿真時(shí)間，達(dá)到微秒級(jí)試試。
改用時(shí)域仿真后用AR濾波器了，問題解決了，謝謝你
我不是很懂，那TLM要求的是什么對(duì)稱?
T可以用AR，TLM好像不能AR濾波器
嗯，我也發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題了，所以就換時(shí)域仿真了
建議還是使用TLM，因?yàn)榭梢允褂镁喣Ｐ?，可以適當(dāng)增加仿真時(shí)間，這樣得到的曲線紋波就會(huì)少很多
謝謝你！剛好我的這個(gè)仿真量不大，用時(shí)域圖會(huì)好一些謝謝
我仿真時(shí)發(fā)現(xiàn)加長仿真時(shí)間會(huì)使波紋較少很多，可是這是為什么?麻煩指點(diǎn)?。?/p>
Field energy降低了。
CST MWS幫助文件《Time Domain Solver Performance Improvement》。
我也在做腔體SE研究，腔體外測得的E值過高的話，可以把Probe的位置放得再遠(yuǎn)點(diǎn)，我試過，離腔體越遠(yuǎn)，越接近激勵(lì)的值，應(yīng)該是諧振的問題。我用的transient solver， AR濾波器效果不錯(cuò)
